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  • BNI0041BALLUFF传感器BES 516-3047-G-E4-C-PU-02
    BNI0041BALLUFF传感器BES 516-3047-G-E4-C-PU-02 BALLUFF感测器器BES 516-3047-G-E4-C-PU-02 由霍尔边际效应的设计原理知,霍尔电势的程度决定于于:Rh为霍尔常数,它与半导体设备技术金属材质有关的信息; IC为霍尔部件的偏置直流电压;B为电交变电场标准;d为半导体设备技术板材的规格。而言一种给定的霍尔器材 ,当偏置直流电压Ic一定时,Vh将*决定于于被测的电交变电场标准B。
    更新时间:2027-04-27型号:BNI0041浏览量:1567
  • BALLUFF传感器BOS R020K-PO-PR11-00,2-S4
    BALLUFF传感器BOS R020K-PO-PR11-00,2-S4 BALLUFF感应器器BOS R020K-PO-PR11-00,2-S4 利用带纯备份文本凸显的凸显器确保简单易行、直接的实际运作 自己的多基本功能100区分率光带BLA将Z多七种与众不同的、 这样一来您就能区分产品、确认座位和核对个人目标。 然后不清探及。利用直接的实际运作区,
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